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Standard Power
MOSFET
P-Channel Enhancement Mode
IXTH 8P50
IXTT 8P50
V DSS = -500 V
I D25 = -8 A
R DS(on) = 1.2 ?
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
-500
V
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T J
T C = 25 ° C
-500
± 20
± 30
-8
-32
-8
V
V
V
A
A
A
TO-268 (IXTT)
D (TAB)
E AR
P D
T J
T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
30
180
-55 ... +150
150
mJ
W
° C
° C
G
G = Gate,
S = Source,
S
D = Drain,
TAB = Drain
D (TAB)
T stg
-55 ... +150
° C
Features
? Low R HDMOS process
M d
Weight
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic Body for 10s
Mounting torque (TO-247)
TO-247
TO-268
300 ° C
250 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
5 g
? International standard packages
TM
DS (on)
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance (<5 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
V DSS
V GS = 0 V, I D = -250 μ A
BV DSS Temperature Coefficient
-500
0.054
V
%/K
? High side switching
? Push-pull amplifiers
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS(th) Temperature Coefficient
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
-3.0
-0.122
-5.0
± 100
V
%/K
nA
? DC choppers
? Automatic test equipment
I DSS
R DS(on)
V DS = 0.8 ? V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = -10 V, I D = 0.5 ? I D25 7P50
8P50
R DS(on) Temperature Coefficient
-200 μ A
-1 mA
1.5 ?
1.2 ?
0.6 %/K
Advantages
? Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
? 2005 IXYS All rights reserved
DS94534F(02/05)
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IXTH90P10P 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH96N20P 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH96N25T 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH96P085T 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH98N20T 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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